Přednášky:
Výkonová polovodičová dioda, statické a dynamické vlastnosti, katalogové parametry. Zvláštní typy výkonových diod, režimy zatěžování, rozdělení ztrát, aplikační pravidla.
Tyristor, statické a dynamické vlastnosti, katalogové parametry.
Zvláštní typy výkonových tyristorů, tyristory GATT, GTO, jejich vlastnosti a použití.
Diak, triak, vlastnosti a způsob použití.
Bipolární výkonový tranzistor, statické vlastnosti v sepnutém a rozepnutém stavu.
Bipolární výkonový tranzistor ve spínacím režimu, chování tranzistoru v přechodných stavech při zapínání a vypínání, výkonové ztráty.
Darlingtonovo zapojení, paralelní řazení výkonových tranzistorů, příklady aplikací.
Unipolární výkonový tranzistor, statické vlastnosti v sepnutém a rozepnutém stavu.
Unipolární výkonový tranzistor ve spínacím režimu, dovolená pracovní oblast, výkonové ztráty.
Katalogové parametry a rozdělení IGBT, charakteristické vlastnosti a chování IGBT v sepnutém a rozepnutém stavu.
IGBT ve spínacím režimu, průběh zapnutí a vypnutí, stanovení ztrát, dovolená pracovní oblast
MCT - statické a dynamické vlastnosti, ztráty a dovolená pracovní oblast.
IGCT - statické a dynamické vlastnosti, ztráty a dovolená pracovní oblast.
Provedení a pouzdření výkonových polovodičových součástek, použitelný výkonový rozsah, elektrotepelné parametry.
Cvičení:
Opakování základních poznatků z elektroniky
Výpočet jednoduchých výkonových obvodů s diodami.
Výpočet ztrát diody z katalogových údajů, vazba na podmínky chlazení.
Výpočet základních výkonových obvodů s tyristory.
Kontrolní test TEST č.1 - Základní vlastnosti a parametry diod a tyristorů
Výpočet spínacích obvodů s bipolárními tranzistory.
Výpočet spínacích obvodů s unipolárními tranzistory.
Výpočet spínacích obvodů s tranzistory IGBT.
Kontrolní testy TEST č.2 - Základní vlastnosti a parametry unipolárních tranzistorů a IGBT.
Laboratoře:
Laboratorní úloha č.1 - Ztráty diod a tyristorů.
Laboratorní úloha č.2 - Statické vlastnosti výkonového bipolárního tranzistoru.
Laboratorní úloha č.3 - Statické vlastnosti výkonového unipolárního tranzistoru.
Laboratorní úloha č.4 - Měření vlastností IGBT.
Laboratorní úloha č.5 - Měření vlastností MCT.
Počítačové laboratoře:
Simulace obvodů s výkonovými polovodičovými prvky v programu PSpice.
SW PSpice zajištěn v anglické verzi.
Výkonová polovodičová dioda, statické a dynamické vlastnosti, katalogové parametry. Zvláštní typy výkonových diod, režimy zatěžování, rozdělení ztrát, aplikační pravidla.
Tyristor, statické a dynamické vlastnosti, katalogové parametry.
Zvláštní typy výkonových tyristorů, tyristory GATT, GTO, jejich vlastnosti a použití.
Diak, triak, vlastnosti a způsob použití.
Bipolární výkonový tranzistor, statické vlastnosti v sepnutém a rozepnutém stavu.
Bipolární výkonový tranzistor ve spínacím režimu, chování tranzistoru v přechodných stavech při zapínání a vypínání, výkonové ztráty.
Darlingtonovo zapojení, paralelní řazení výkonových tranzistorů, příklady aplikací.
Unipolární výkonový tranzistor, statické vlastnosti v sepnutém a rozepnutém stavu.
Unipolární výkonový tranzistor ve spínacím režimu, dovolená pracovní oblast, výkonové ztráty.
Katalogové parametry a rozdělení IGBT, charakteristické vlastnosti a chování IGBT v sepnutém a rozepnutém stavu.
IGBT ve spínacím režimu, průběh zapnutí a vypnutí, stanovení ztrát, dovolená pracovní oblast
MCT - statické a dynamické vlastnosti, ztráty a dovolená pracovní oblast.
IGCT - statické a dynamické vlastnosti, ztráty a dovolená pracovní oblast.
Provedení a pouzdření výkonových polovodičových součástek, použitelný výkonový rozsah, elektrotepelné parametry.
Cvičení:
Opakování základních poznatků z elektroniky
Výpočet jednoduchých výkonových obvodů s diodami.
Výpočet ztrát diody z katalogových údajů, vazba na podmínky chlazení.
Výpočet základních výkonových obvodů s tyristory.
Kontrolní test TEST č.1 - Základní vlastnosti a parametry diod a tyristorů
Výpočet spínacích obvodů s bipolárními tranzistory.
Výpočet spínacích obvodů s unipolárními tranzistory.
Výpočet spínacích obvodů s tranzistory IGBT.
Kontrolní testy TEST č.2 - Základní vlastnosti a parametry unipolárních tranzistorů a IGBT.
Laboratoře:
Laboratorní úloha č.1 - Ztráty diod a tyristorů.
Laboratorní úloha č.2 - Statické vlastnosti výkonového bipolárního tranzistoru.
Laboratorní úloha č.3 - Statické vlastnosti výkonového unipolárního tranzistoru.
Laboratorní úloha č.4 - Měření vlastností IGBT.
Laboratorní úloha č.5 - Měření vlastností MCT.
Počítačové laboratoře:
Simulace obvodů s výkonovými polovodičovými prvky v programu PSpice.
SW PSpice zajištěn v anglické verzi.